Многообразие проявлений причинно-следственных связей в материальном мире обусловило существование нескольких моделей причинно-следственных отношений. Исторически сложилось так, что любая модель этих отношений может быть сведена к одному из двух основных типов моделей или их сочетанию.

О природе высокотемпературной сверхпроводимости

Безусловно, интересно теоретически изучать те параметры, которые могут быть экспериментально измерены. Для рассматриваемых систем это равновесные и неравновесные транспортные характеристики, а также плотность состояний в образце. Среди транспортных характеристик надо выделить джозефсоновский ток, для которого обычно рассчитывают зависимости критического тока от температуры и/или магнитного поля, приложенного к системе. Пример неравновесной транспортной характеристики различных контактов с анизотропными сверхпроводниками - кондактанс. Форма кондактанса и различные особенности на его низкоэнергетической части также связаны с параметрами спектров связанных состояний, которые, в свою очередь, различны для различных типов спаривания. Большое влияние на проводимость контактов оказывает зависимость прозрачности барьера от направления импульса, скоррелированная с зависимостью от направления импульса спектров связанных состояний. Интересно посмотреть, как влияет внешнее магнитное поле на все изучаемые характеристики, тем более что внешнее магнитное поле - один из самых удобных "инструментов" для воздействия на систему. Все это и стало предметом моих научных исследований.

За последние три года мне удалось изучить критический джозефсоновский ток в уголковых SND (обычный сверхпроводник-нормальный металл-высокотемпературный сверхпроводник) контактах в магнитном поле, а также спектры андреевских связанных состояний и джозефсоновских токов в симметричных туннельных контактах с киральными сверхпроводниками. В результате удалось предсказать появление логарифмической аномалии в низкотемпературной части зависимости критического джозефсоновского тока от температуры. Удалось также выяснить, что положение пиков в кондактансе туннельных SIN (сверхпроводник-туннельный барьер-нормальный металл) и SIS (сверхпроводник-туннельный барьер-сверхпроводник) контактов связано с особенностями спектров связанных состояний, и предсказать, что на эту связь сильно влияет форма зависимости прозрачности туннельного барьера от направления импульса падающих квазичастиц. Еще один важный результат - обнаружение нетривиальности идентификации андреевских связанных состояний в узких проволочках сверхпроводников и сильного эффекта четности в зависимости от поперечной ширины проволочки.

Перейти на страницу: 1 2 

Немного больше о технологиях >>>

Технологические основы электроники
1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией: а — исходная пластина; б — избирательно ...

Оборудование и технология эхо-импульсного метода ультразвуковой дефектоскопии
Двадцать первый век - век атома, покорения космоса, радиоэлектроники и ультразвука. Наука об ультразвуке сравнительно молодая. Первые лабораторные работы по исследованию ультразвука были проведены великим русским ученым-физиком П. Н. Лебедевым в конце XIX, а затем ультразвуком ...

Галерея

Tехнологии прошлого

Раскрытие содержания и конкретизация понятий должны опираться на ту или иную конкретную модель взаимной связи понятий. Модель, объективно отражая определенную сторону связи, имеет границы применимости, за пределами которых ее использование ведет к ложным выводам, но в границах своей применимости она должна обладать не только образностью.

Tехнологии будущего

В связи с развитием теплотехники ученые в прошлом веке пришли к простому, но удивительному закону, потрясшему человечество. Это закон (иногда его называют принцип) возрастания энтропии (хаоса) во Вселенной. technologyside@gmail.com
+7 648 434-5512