Многообразие проявлений причинно-следственных связей в материальном мире обусловило существование нескольких моделей причинно-следственных отношений. Исторически сложилось так, что любая модель этих отношений может быть сведена к одному из двух основных типов моделей или их сочетанию.

Исследование полупроводникового диода

Цель работы

Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики.

Ход работы:

1. Подключить шнур питания к сети.

2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации.

3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1.

Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1.

4. Тумблер В - 1 поставить в положение 2.

Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 2.

UПР ,В

I, A

 

Uобр, В

I, A

0,6

10

2,5

10

0,65

15

5

14

0,7

20

7

20

0,75

25

9

26

0,8

80

11

32

Обработка результатов опытов:

По данным таблицы 1, 2 в декартовой системе координат построить вольтамперную характеристику диода.

Вывод

С помощью этой лабораторной работы мы доказали что полупроводниковый диод обладает односторонней проводимостью. Это показывает вольтамперная характеристика диода. При небольшом напряжении U=0,8 B. на зажимах диода в цепи проходит относительно большой ток I=30 МА, а при значительном обратном напряжении U=11 В., ток ничтожно мал I=32 МкА.

Ответы на контрольные вопросы:

Е - запирающий слой, который препятствует перемещению электронов и дырок. Контакт двух полупроводников р - типа и n - типа называют р - n - переходом.

При таком соединении толщина запирающего слоя уменьшается, увеличивается проводимость, появляется ток прямой или пропускной.

Если изменить полярность источника, то электроны сместятся к положительным электродам, запирающий слой увеличится. Сопротивление р - n - перехода возрастает, а ток уменьшается (в 1000 раз по сравнению с прямым током). Этот ток называется обратным.

Точечно-плоскостные полупроводниковые диоды имеют особенность в строении. У этих диодов кристалл германия (кремния) не вплавляется в донорную или акцепторную примесь. В германиевом диоде на пластину с электро проводимостью наклеивается табличка из индия. В процессе изготовления диода, пластину нагревают до 500 0 С, чтобы расплавленные атомы индия внедрились в германий, при этом образуя область с дырочной проводимостью.

Выпрямительные полупроводниковые диоды характеризуются током (прямым и обратным) и напряжением электрического поля.

Повышение температуры окружающей среды влияет на число свободных электронов и дырок, оно сильно возрастает, а значит увеличивается проводимость.

Немного больше о технологиях >>>

О вращении электрона
Как известно [1], основанием для введения в физику квантовых постулатов в начале XX века послужило абсолютное несоответствие результатов ряда фундаментальных экспериментальных открытий в области микромира устоявшимся воззрениям на предполагаемые свойства объектов микромира. А и ...

Индуцированный распад протона
Дано теоретическое обоснование новому физическому эффекту - индуцированному распаду протона. Индуцированный распад протона (ИРП) рассматривается как ядерная реакция нового вида, которая может происходить только при учете особенностей фрактального строения протона. Индуцированны ...

Галерея

Tехнологии прошлого

Раскрытие содержания и конкретизация понятий должны опираться на ту или иную конкретную модель взаимной связи понятий. Модель, объективно отражая определенную сторону связи, имеет границы применимости, за пределами которых ее использование ведет к ложным выводам, но в границах своей применимости она должна обладать не только образностью.

Tехнологии будущего

В связи с развитием теплотехники ученые в прошлом веке пришли к простому, но удивительному закону, потрясшему человечество. Это закон (иногда его называют принцип) возрастания энтропии (хаоса) во Вселенной. technologyside@gmail.com
+7 648 434-5512